IGW15N120H3FKSA1 IGBT транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGW15N120H3FKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 30 А, 2.05 В, 217 Вт, 1.2 кВ
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 217 W |
| Артикул | 00-00065237 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
- Цена: 861,25 ₴

