IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKW75N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd – Рассеиваемая _x000D_ мощность | 333 Вт |
| Артикул | 00-00068991 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 175 С |
| Максимальное _x000D_ напряжение эмиттера затвора | - 20 В, 20 В |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 40 С. |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс. | 650 В |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1,35 В |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора при 25 C | 80 А |
- Цена: 833,75 ₴

