IKW50N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247
830 ₴
- В наличии
- Код: 00-00067950
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
IKW50N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247
830 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKW50N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 273 W |
| Артикул | 00-00067950 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Серия | Trenchstop IGBT7 |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 830 ₴
