IR2011PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C
![IR2011PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C, фото 1](https://images.prom.ua/7450485123_ir2011pbf-drajver-fet-igbt.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IR2011PBF Драйверы IGBT/MOSFET
Драйвер FET-IGBT - [DIP-8]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 1000 мА: Iout-: 1000 мА: Траб: -40...125 °C
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00025850 |
| Вид микросхемы | high-/low-side, _x000D_ контроллер затвора |
| Время включения | 80нс |
| Время выключения | 60нс |
| Выходной ток | -1...1А |
| Класс напряжения | 200В |
| Кол-во каналов | 2 |
| Корпус | DIP8 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 1Вт |
| Напряжение питания | 10...20В DC |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип микросхемы | driver |
| Топология | полумост MOSFET |
- Цена: 815 ₴

