GT50J322 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
GT50J322 Транзистор IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | TOS |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00073168 |
| Время нарастания _x000D_ типовое nS | 200 |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность W | 130 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода ℃ | 150 |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор V | 20 |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора A | 50 |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовоеV | 2.1 |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер V | 600 |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 802,50 ₴

