IPB180P04P403ATMA2 Power MOSFET, P Channel, 40 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPB180P04P403ATMA2 Транзистор полевой MOSFET
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 180 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 190 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 2 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 3 V |
| Артикул | 00-00079968 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 31 ns |
| Время спада | 81 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность _x000D_ транзистора | P-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C … + 175 C |
| Тип корпуса | TO-263-7 |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время _x000D_ задержки выключения | 72 ns |
| Типичное время _x000D_ задержки при включении | 48 ns |
- Цена: 791,25 ₴

