FGHL50T65SQ Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), 650В, 100A, TO247

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGHL50T65SQ Транзистор IGBT
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), 650В, 100A, TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности: | 268 W |
| Артикул | 00-00068182 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта: | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | ingle |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 100 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 100 A |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 400 nA |
- Цена: 746,25 ₴

