RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT
Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 150 W |
| Артикул | 00-00071294 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 V, 20 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Рабочая температура | - 55 C ... + 175 _x000D_ C |
| Технология | Si |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | +/- 1 uA |
| Чувствительный к _x000D_ влажности | Да |
| Тип корпуса | TO-247A-3 |
- Цена: 708,75 ₴

