NJL0302DG Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NJL0302DG Транзистор биполярный
Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 180 W |
| Артикул | 00-00079265 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коллектор постоянного _x000D_ тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 15 A |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база (VCBO) | 260 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 260 V |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1 V |
| Полярность _x000D_ транзистора | PNP |
| Произведение _x000D_ коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Рабочая температура | - 65 C … + 150 C |
| Технология | Si |
- Цена: 700 ₴


