HGTG12N60A4D IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В
700 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032675
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
HGTG12N60A4D IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В
700 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTG12N60A4D Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd — рассеиваемая _x000D_ мощность | 167 Вт |
| Артикул | 00-00032675 |
| Конфигурация | Одиночная |
| Корпус | ТО-247-3 |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 150 С |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 В, 20 В |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 С. |
| Монтаж | Сквозное _x000D_ отверстие |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс. | 600 В |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 2 В |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора | 60 А |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic Макс. | 54 А |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора при 25 C | 54 А |
| Продукт | IGBT-транзисторы |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | +/- 250 нА |
- Цена: 700 ₴
