IR2010PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса,
![IR2010PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса,, фото 1](https://images.prom.ua/7450497395_ir2010pbf-drajver-fet-igbt.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IR2010PBF Драйверы IGBT/MOSFET
Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00025848 |
| Вид микросхемы | high-/low-side, _x000D_ контроллер затвора |
| Время включения | 95нс |
| Время выключения | 65нс |
| Выходной ток | -3...3А |
| Класс напряжения | 200В |
| Кол-во каналов | 2 |
| Корпус | DIP14 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 1,6Вт |
| Напряжение питания | 10...20В DC |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип микросхемы | driver |
| Топология | полумост MOSFET |
| Характеристики _x000D_ интегральных схем | integrated bootstrap _x000D_ functionality,генератор подкачки заряда,мертвое время |
- Цена: 700 ₴

