SIHG186N60EF-GE3 MOSFET , N-CH, 600 В, 8,4 А, TO-247AC
667,50 ₴
- В наличии
- Код: 00-00075063
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SIHG186N60EF-GE3 MOSFET , N-CH, 600 В, 8,4 А, TO-247AC
667,50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SIHG186N60EF-GE3 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET , N-CH, 600 В, 8,4 А, TO-247AC
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 8.4 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 156 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 5 V |
| Артикул | 00-00075063 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 46 ns |
| Время спада | 32 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Полевые _x000D_ МОП-транзисторы (MOSFET) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна _x000D_ характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C ... + 150 _x000D_ C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Тип продукта | MOSFETs |
| Тип транзистора | 1 N - Channel |
| Типичное время _x000D_ задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время _x000D_ задержки при включении | 28 ns |
- Цена: 667,50 ₴
