IHW40N60R IGBT транзистор, 40 А, 1.65 В, 305 Вт, 600 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IHW40N60R Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 40 А, 1.65 В, 305 Вт, 600 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 305 W |
| Артикул | 00-00063482 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Рабочая температура | - 40 C ... + 175 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 653,75 ₴

