IPB120N06S4H1ATMA2 МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPB120N06S4H1ATMA2 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзисторы (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 120 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 250 W |
| Qg - заряд затвора | 270 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 4 V |
| Артикул | 00-00078224 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C … + 175 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время _x000D_ задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время _x000D_ задержки при включении | 30 ns |
- Цена: 612,50 ₴

