RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT
Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 250 W |
| Артикул | 00-00071183 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 V, 20 V |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C ... + 175 _x000D_ C |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247A-3 |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | +/- 1 uA |
- Цена: 577,50 ₴

