NCE75TD120WT Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
NCE75TD120WT Транзистор IGBT
Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00077656 |
| Час наростання | 17 nS |
| Вихідна місткість | 320 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 833 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 175 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 30 V |
| Максимальне _x000D_ порогонова напруга затвора-емітер | 6.5 V |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | 150 A @25℃ |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 1.9 V @25℃ |
| Загальний заряд затвора | 450 nC |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | 1200 V |
| Тип корпусу | TO247 |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 566,25 ₴

