STB11NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор — [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
![STB11NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор — [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/7450526670_stb11nk50zt4-mosfet-silovoj.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STB11NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор — [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.48 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Rds включен (макс.) _x000D_ @ Id, Vgs | 520 мОм при 4,5 _x000D_ А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,5 В @ 100 мкА |
| Артикул | 00-00031190 |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) _x000D_ (макс.) @ Vds | 1390 пФ при 25 В |
| Заряд затвора (Qg) _x000D_ (Макс.) @ Vgs | 68 нК при 10 В |
| Корпус | TO-263-3 |
| Напряжение привода | 10 В |
| Напряжение стока к _x000D_ источнику (Vdss) | 500 В |
| Продукт | МОП-транзистор |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C _x000D_ (ТДж) |
| Рассеиваемая _x000D_ мощность (макс.) | 125 Вт (Тс) |
| Тип полевого _x000D_ транзистора | N-канал |
| Ток — непрерывный _x000D_ сток (Id) при 25°C | 10А (Тс) |
- Цена: 542,50 ₴

