Корзина

NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P

NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P, фото 1

496,25 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00077655
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247PNCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P
496,25 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE75TD120VTP Транзистор IGBT
Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00077655
Время нарастания17 nS
Выходная емкость327 pF
Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность833 W
Максимальная _x000D_ температура перехода175 ℃
Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор30 V
Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер6 V
Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора150 A @25℃
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер1.7 V @25℃
Общий заряд затвора572 nC
Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер1200 V
Тип корпусаTO247P
Тип транзистораIGBT + Diode
Тип управляющего _x000D_ каналаN
  • Цена: 496,25 ₴