Корзина

HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A

HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A, фото 1

492,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00032674
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43AHGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
492,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTG11N120CND Транзистор IGBT
IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Pd - рассеивание мощности298 W
Артикул00-00032674
Вид монтажаThrough Hole
Высота20.82 mm
Длина15.87 mm
Другие названия товара №HGTG11N120CND_NL
Категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
КонфигурацияSingle
КорпусTO-247-3
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Минимальная рабочая температура- 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.1 V
Непрерывный коллекторный ток55 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C43 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.43 A
СерияHGTG11N120CND
ТехнологияSi
Ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
Ширина4.82 mm
  • Цена: 492,50 ₴