NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE50TD120VT Транзистор IGBT
IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00075411 |
| Время нарастания (tr), _x000D_ тип., нС | 17 |
| Емкость коллектора (Cc), _x000D_ тип., пФ | 220 |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность (Pc), Вт | 535 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода (Tj), ℃ | 175 |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В | 30 |
| Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В | 1200 |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение GE |Vge(th)|, В | 6 |
| Максимальный ток _x000D_ коллектора |Ic| при 25℃, А | 100 |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В | 1,7 |
| Общий заряд затвора _x000D_ (Qg), тип., нКл | 370 |
| Тип | IGBT + _x000D_ встречно-параллельный диод |
| Тип канала IGBT | N |
| Тип корпуса | TO-247 |
- Цена: 482,50 ₴

