Корзина

NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247

NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247, фото 1

482,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00075411
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247NCE50TD120VT IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247
482,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE50TD120VT Транзистор IGBT
IGBT + встречно-параллельный диод, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00075411
Время нарастания (tr), _x000D_ тип., нС17
Емкость коллектора (Cc), _x000D_ тип., пФ220
Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность (Pc), Вт535
Максимальная _x000D_ температура перехода (Tj), ℃175
Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В30
Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В1200
Максимальное _x000D_ пороговое напряжение GE |Vge(th)|, В6
Максимальный ток _x000D_ коллектора |Ic| при 25℃, А100
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В1,7
Общий заряд затвора _x000D_ (Qg), тип., нКл370
ТипIGBT + _x000D_ встречно-параллельный диод
Тип канала IGBTN
Тип корпусаTO-247
  • Цена: 482,50 ₴