NGTB40N135IHRWG IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NGTB40N135IHRWG Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 2.4 В, 394 Вт, 1.35 кВ
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 394 W |
| Артикул | 00-00064945 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 25 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Рабочая температура | - 40 C ... + 175 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 427,50 ₴

