Корзина

SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP

SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP, фото 1

401,25 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00074672
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FPSIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
401,25 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00074672
Вид монтажаThrough Hole
Заряд затвора53 nC
Количество каналов1 Channel
Максимальная рабочая _x000D_ температура+ 150 C
Минимальная рабочая _x000D_ температура- 55 C
Напряжение _x000D_ затвор-исток- 30 V, + 30 V
Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток800 V
Непрерывный ток _x000D_ утечки6 A
Полярность _x000D_ транзистораN-Channel
Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток4 V
Рассеивание мощности33 W
Сопротивление _x000D_ сток-исток350 mOhms
ТехнологияSi
  • Цена: 401,25 ₴