IKW50N60H3FKSA1 Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, TO-247

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKW50N60H3FKSA1 Транзистор IGBT
Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, TO-247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 333 W |
| Артикул | 00-00048254 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | IKW50N60H3 IKW5N6H3XK SP000852244 |
| Категория продукта | Биполярный транзистор |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Ширина | 5.31 mm |
- Цена: 367,50 ₴

