SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
360 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00074480
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
360 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT75T65SDM1P7 Транзистор IGBT
416 Вт, 650 В, 150 А
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00074480 |
| Время нарастания (tr), _x000D_ тип., нС | 42 |
| Емкость коллектора (Cc), _x000D_ тип., пФ | 300 |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность (Pc), Вт | 416 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода (Tj), ℃ | 150 |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер |Vge|, В | 20 |
| Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В | 650 |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение GE |Vge(th)|, В | 7 |
| Максимальный ток _x000D_ коллектора |Ic| при 25℃, А | 150 |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер |Vce(sat)|, тип., В | 1,65 |
| Общий заряд затвора _x000D_ (Qg), тип., нКл | 180 |
| Тип канала IGBT | N |
| Тип корпуса | TO247 |
- Цена: 360 ₴
