IKW75N65ES5XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 80 А, 1.42 В, 395 Вт, 650 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKW75N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 80 А, 1.42 В, 395 Вт, 650 В
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 395 W |
| Артикул | 00-00065684 |
| Вес изделия | 6.052 g |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.42 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Ширина | 5.31 mm |
- Цена: 327,50 ₴

