Корзина

HGTG40N60A4 ТНТ. N-Channel IGBT. Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В. Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A.

HGTG40N60A4 ТНТ. N-Channel IGBT. Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В.  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A., фото 1

332,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00032682
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
HGTG40N60A4 ТНТ. N-Channel IGBT. Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В. Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A.HGTG40N60A4 ТНТ. N-Channel IGBT. Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В.  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A.
332,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTG40N60A4 Транзистор IGBT
ТНТ. N-Channel IGBT. Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В. Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A. Ток коллектора (макс): 75A. Мощность (макс): 625W.
Основные
ПроизводительFair
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Pd — рассеиваемая _x000D_ мощность625 Вт
Артикул00-00032682
КонфигурацияОдиночная
КорпусТО-247-3
Максимальная рабочая _x000D_ температура+ 150 С
Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер- 20 В, 20 В
Минимальная рабочая _x000D_ температура- 55 С.
МонтажСквозное _x000D_ отверстие
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс.600 В
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер1,7 В
Непрерывный ток _x000D_ коллектора75 А
Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic Макс.75 А
Непрерывный ток _x000D_ коллектора при 25 C75 А
ПродуктIGBT-транзисторы
Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер+/- 250 нА
  • Цена: 332,50 ₴