GT50JR21 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
GT50JR21 Транзистор IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | TOS |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 230 W |
| Артикул | 00-00073183 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 175 C |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 25 V, 25 V |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Серия | GT50JR21 |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 321,25 ₴

