FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDB16AN08A0-VB Транзистор полевой MOSFET
80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Rds On (макс.) при Id, _x000D_ Vgs | 16 мОм при 58 А, _x000D_ 10 В |
| Vgs (макс.) | ±20 В |
| Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id | 4 В при 250 мкА |
| Артикул | 00-00077484 |
| Входная емкость (Ciss) _x000D_ (макс.) при Vds | 1857 пФ при 25 В |
| Заряд затвора (Qg) _x000D_ (макс.) при Vgs | 42 нКл при 10 В |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vdss) | 75 В |
| Напряжение управления _x000D_ (макс. Rds On, мин. Rds On) | 6 В, 10 В |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (макс.) | 135 Вт (Tc) |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток - непрерывный _x000D_ сток (Id) при 25 °C | 9 А (Ta), 58 А (Tc) |
- Цена: 257,50 ₴

