SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25℃, TO247
253,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00077266
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25℃, TO247
253,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT60N60FD1P7 Транзистор IGBT
Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25℃, TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00077266 |
| Время нарастания _x000D_ типовое | 142 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 294 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 321 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 20 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6.5 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 120 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 2.2 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 179 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 253,75 ₴
