FQP20N60C-VB Транзистор N-MOSFET 600V, 20A, 417W

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FQP20N60C-VB Транзистор полевой MOSFET
Транзистор N-MOSFET 600V, 20A, 417W
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00066200 |
| Время нарастания | 125 ns |
| Емкость | 3680 pF при 25 V |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 417 W |
| Максимальная _x000D_ температура канала | 150 °C |
| Максимально _x000D_ допустимый постоянный ток стока | 20 A |
| Общий заряд затвора | 74 nC при 10 V |
| Полярность | N |
| Пороговое напряжение _x000D_ включения | 4.5V при 250µA |
| Предельно допустимое _x000D_ напряжение затвор-исток | 30 V |
| Предельно допустимое _x000D_ напряжение сток-исток | 600 V |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток открытого транзистора | 0.37 Ohm при 10A _x000D_ 10V |
| Тип корпуса | TO220 |
- Цена: 240 ₴

