HGTG5N120BND БТИЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
246,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032683
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
HGTG5N120BND БТИЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
246,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTG5N120BND Транзистор IGBT
БТИЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Артикул | 00-00032683 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | HGTG5N120BND_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 21 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 21 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 21 A |
| Серия | HGTG5N120BND |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Ширина | 4.82 mm |
- Цена: 246,25 ₴
