HGTG5N120BND БТІЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
238,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032683
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
HGTG5N120BND БТІЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
238,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HGTG5N120BND Транзистор IGBT
БТІЗ транзистор, 21 А, 2.7 В, 167 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання потужності | 167 W |
| Артикул | 00-00032683 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Висота | 20.82 mm |
| Довжина | 15.87 mm |
| Інші назви товару No | HGTG5N120BND_NL |
| Категорія продукту | Біполярні транзистори з ізольованим закривом (IGBT) |
| Конфігурація | Single |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальна робоча температура | + 150 C |
| Максимальна напруга затвор-емітер | +/- 20 V |
| Мінімальна робоча температура | - 55 C |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напруга насичення колектор-емітер | 2.45 V |
| Безперервний колекторний струм | 21 A |
| Безперервний колекторний струм за 25 °C | 21 A |
| Безперервний струм колектора Ic, макс. | 21 A |
| Серія | HGTG5N120BND |
| Технологія | Si |
| Струм витоку затвор-емітер | +/- 250 nA |
| Ширина | 4.82 mm |
- Ціна: 238,75 ₴
