FQP6N80C MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 5.5 А: Rси(вкл): 2.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
![FQP6N80C MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 5.5 А: Rси(вкл): 2.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:, фото 1](https://images.prom.ua/7440583337_fqp6n80c-mosfet-silovoj.jpg)
218,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00031121
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 5.5 А: Rси(вкл): 2.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 21 нКл
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fair |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs | 2,5 Ом при 2,75 _x000D_ А, 10 В |
| Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id | 5 В при 250 мкА |
| Артикул | 00-00031121 |
| ВГС (Макс.) | ±30 В |
| Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds | 1310пФ при 25 В |
| Корпус | TO-220 |
| Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss) | 800В |
| Плата за ворота (Qg) _x000D_ (Макс.) при Vgs | 30 нК при 10 В |
| Потеря мощности _x000D_ (макс.) | 158 Вт (TC) |
| Продукт | МОП-транзистор _x000D_ (оксид металла) |
| Рабочая температура | От -55°C до 150°C _x000D_ (ТДж) |
| Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) | 10 В |
| Тип полевого _x000D_ транзистора | N-канал |
| Ток — непрерывный, _x000D_ слив (Id) при 25°C | 5,5 А (Тс) |
- Цена: 218,75 ₴

