CSD19532Q5B MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
CSD19532Q5B Транзистор полевой MOSFET
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | TI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 140 A |
| Pd - рассеивание мощности | 195 W |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Артикул | 00-00068192 |
| Вес изделия | 105.300 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | CSD19532Q5B |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Ширина | 5 mm |
- Цена: 206,25 ₴

