NCE60TD65BT IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
198,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00075416
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
NCE60TD65BT IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
198,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE60TD65BT Транзистор IGBT
IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00075416 |
| Время нарастания _x000D_ типовое (tr), nS | 17 |
| Емкость коллектора _x000D_ типовая (Cc), pf | 199 |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность (Pc), W | 319 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода (Tj), ℃ | 175 |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V | 30 |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V | 6 |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A | 120 |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V | 1.6 |
| Общий заряд затвора _x000D_ (Qg), typ, nC | 262 |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V | 650 |
| Тип корпуса | TO247 |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 198,75 ₴
