STP26NM60N МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 0.135 Ом, 10 В, 3 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 0.135 Ом, 10 В, 3 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 165 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Артикул | 00-00031256 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 50 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-220-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | N-channel MDmesh |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Ширина | 4.6 mm |
- Цена: 197,50 ₴

