TC6320K6-G Mosfet Array N and P-Channel 200V

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
TC6320K6-G Транзистор полевой MOSFET
Mosfet Array N and P-Channel 200V
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Microchip |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms, 8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Артикул | 00-00060319 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns, 15 ns |
| Время спада | 15 ns, 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS, 400 mS |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Рабочая температура | - 55 ... + 150 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | DFN-8 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns, 10 ns |
| Чувствительный к влажности | Да |
- Цена: 195 ₴

