STGP10NC60KD IGBT транзистор - [TO-220-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк: 10 А: Uкэ.нас: 1.8 В: Диод tвосст: 35 нс: Диод Uпад: 2 В

188,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

188,75 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

STGP10NC60KD Транзистор IGBT

IGBT транзистор - [TO-220-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк: 10 А: Uкэ.нас: 1.8 В: Диод tвосст: 35 нс: Диод Uпад: 2 В

Основные
Производитель	STMicroelectronics
Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Pd — рассеиваемая _x000D_ мощность	25 Вт
Артикул	00-00032694
Конфигурация	Одиночная
Корпус	ТО-220-3
Максимальная рабочая _x000D_ температура	+ 150 С
Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер	- 20 В, 20 В
Минимальная рабочая _x000D_ температура	- 55 С.
Монтаж	Сквозное _x000D_ отверстие
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс.	600 В
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер	2 В
Непрерывный ток _x000D_ коллектора	9 А
Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic Макс.	20 А
Непрерывный ток _x000D_ коллектора при 25 C	20 А
Продукт	IGBT-транзисторы
Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер	100 нА