Корзина

STP10NK60Z MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.75 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 50 нКл

STP10NK60Z MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.75 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 50 нКл, фото 1

168,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031228
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
STP10NK60Z MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.75 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 50 нКлSTP10NK60Z MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.75 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 50 нКл
168,75 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STP10NK60Z Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 0.75 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 50 нКл
Основные
ПроизводительSTMicroelectronics
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Rds включен (макс.) _x000D_ @ Id, Vgs750 мОм при 4,5 _x000D_ А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id4,5 В @ 250 мкА
Артикул00-00031228
ВГС (Макс)±30 В
Входная емкость (СНПЧ) _x000D_ (макс.) @ Vds1370 пФ при 25 В
Заряд затвора (Qg) _x000D_ (Макс.) @ Vgs70 нК при 10 В
КорпусTO-220
Напряжение привода10 В
Напряжение стока к _x000D_ источнику (Vdss)600 В
ПродуктМОП-транзистор
Рабочая температура-55°C ~ 150°C _x000D_ (ТДж)
Рассеиваемая _x000D_ мощность (макс.)115 Вт (Тс)
Тип полевого _x000D_ транзистораN-канал
Ток — непрерывный _x000D_ сток (Id) при 25°C10А (Тс)
  • Цена: 168,75 ₴