2SK3878STA1.E.S Транзистор MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
2SK3878STA1.E.S Транзистор полевой MOSFET
Транзистор MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Артикул | 00-00053187 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55...150 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-3P-3 |
- Цена: 180 ₴

