NSS40302PDR2G 40V 576mW 6A NPN+PNP SOIC-8 Single Bipolar Transistors
175 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00080664
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
NSS40302PDR2G 40V 576mW 6A NPN+PNP SOIC-8 Single Bipolar Transistors
175 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NSS40302PDR2G Транзистор биполярный
40V 576mW 6A NPN+PNP SOIC-8 Single Bipolar Transistors
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 783 mW |
| Артикул | 00-00080664 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 5 mm |
| Коллектор постоянного _x000D_ тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA, 2 V, _x000D_ 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления _x000D_ по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA, 2 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO) | 6 V, 7 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 82 mV, 135 mV |
| Полярность _x000D_ транзистора | NPN, PNP |
| Произведение _x000D_ коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Рабочая температура | - 55 C … + 150 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | SOIC-8 |
- Цена: 175 ₴
