IRFB33N15DPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 33 А: Rси(вкл): 56 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:

175 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

175 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 33 А: Rси(вкл): 56 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В

Основные
Производитель	IR
Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Rds On (макс.) при _x000D_ Id, Vgs	56 _x000D_ мОм при 20 А, 10 В
Vgs (макс.)	±30 _x000D_ В
Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id	5,5 _x000D_ В при 250 мкА
Артикул	00-00031972
Входная емкость (Ciss) _x000D_ (макс.) при Vds	2020 _x000D_ пФ при 25 В
Заряд затвора (Qg) (макс.) _x000D_ при Vgs	90 _x000D_ нКл при 10 В
Корпус	TO-220AB
Монтаж	THT
Напряжение сток-исток _x000D_ (Vdss)	150 _x000D_ В
Напряжение управления _x000D_ (макс. Rds On, мин. Rds On)	10 _x000D_ В
Рабочая температура	-55°C _x000D_ ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность _x000D_ (макс.)	3,8 _x000D_ Вт (Ta), 170 Вт (Tc)
Тип транзистора	N-канал
Ток - непрерывный _x000D_ сток (Id) при 25 °C	33 _x000D_ А (Tc)