CSD19531Q5A MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
CSD19531Q5A Транзистор полевой MOSFET
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | TI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.3 W |
| Qg - заряд затвора | 37 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Артикул | 00-00068190 |
| Вес изделия | 87.800 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5.8 ns |
| Время спада | 5.2 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | CSD19531Q5A |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Ширина | 4.9 mm |
- Цена: 170 ₴

