STGD3NB60SDT4 Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: TO-252-3

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STGD3NB60SDT4 Транзистор IGBT
Транзистор: IGBT: 600 В: 6 А при 25С: 48 Вт: TO-252-3
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Артикул | 00-00049812 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 6 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6 A |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
- Цена: 165 ₴

