IRFHM8363TRPBF МОП-транзистор 100V DUAL N-CH HEXFET

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRFHM8363TRPBF Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор 100V DUAL N-CH HEXFET
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 195 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Артикул | 00-00062429 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.7 ns |
| Время спада | 2.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 ... + 150 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | PQFN-8 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 5.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
- Цена: 155 ₴

