CSD19537Q3 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
CSD19537Q3 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | TI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.8 V |
| Артикул | 00-00068197 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | CSD19538Q2 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Ширина | 2 mm |
- Цена: 142,50 ₴

