IPD80R900P7ATMA1 Мощный МОП-транзистор , N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж
146,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00075144
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
IPD80R900P7ATMA1 Мощный МОП-транзистор , N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж
146,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPD80R900P7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET
Мощный МОП-транзистор , N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхностный монтаж
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00075144 |
| Вид канала | обогащенный |
| Заряд затвора | 15нC |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | ±20В |
| Напряжение _x000D_ сток-исток | 800В |
| Полярность | полевой |
| Рассеиваемая _x000D_ мощность | 45Вт |
| Сопротивление в _x000D_ открытом состоянии | 0,9Ом |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 3,9А |
| Характеристики _x000D_ полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
- Цена: 146,25 ₴
