IPD80R900P7ATMA1 Потужний МОП-транзистор, N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхневий монтаж
141,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00075144
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD80R900P7ATMA1 Потужний МОП-транзистор, N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхневий монтаж
141,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD80R900P7ATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Потужний МОП-транзистор, N-канал, 800 В, 6 А, 0,77 Ом, TO-252 (DPAK), поверхневий монтаж
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00075144 |
| Тип каналу | збагачений |
| Заряд затвора | 15нC |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Монтаж | SMD |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | ±20 В |
| Напруга _x000D_ стік-висток | 800 В |
| Полярність | польовою |
| Розсіювана _x000D_ потужність | 45 Вт |
| Опір у _x000D_ відкритому стані | 0,9Ом |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
| Тип транзизора | N-MOSFET |
| Ток стока | 3,9А |
| Характеристики _x000D_ напівпровідникових елементів | ESD protected gate |
- Ціна: 141,25 ₴
