Корзина

IRFB3207PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:

IRFB3207PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1

137,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031967
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRFB3207PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:IRFB3207PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
137,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 180 А: Rси(вкл): 4.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Gatel Charge (QG) _x000D_ (макс.) На VGS260 NC @ 10 V
RDS (ON) (макс.) У _x000D_ ID, VGS4,5 мох в 75A, 10 _x000D_ В
Vgs (макс.)± 20 В.
Vgs (th) (макс.) При _x000D_ id4 В при 250 мкА
Артикул00-00031967
Входная емкость (Ciss) _x000D_ (макс.) при Vds7600 pf @ 50 v
КорпусTO-220AB
Напряжение источника _x000D_ дренажа (VDS)75 В.
Потеря (макс.)330W (TC)
ПродуктМОСФЕТ
ПроизводительINFIN
Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds (on), min. Rds (on))10 В
Фет-типN-канал
Эксплуатационный _x000D_ температура-55 ° C до 175 ° _x000D_ C (TJ)
Электричество - _x000D_ непрерывное, слив (id) при 25 ° C170 A (TC)
  • Цена: 137,50 ₴