AONR66924 N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
132,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00078192
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
AONR66924 N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
132,50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
AONR66924 Транзистор полевой MOSFET
N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00078192 |
| Входная емкость (Ciss, _x000D_ макс.) @ Vds | 1450 пФ @ 50 В |
| Заряд затвора (Qg, _x000D_ макс.) @ Vgs | 40 нКл @ 10 В |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвора (Vgs, макс.) | ±20 В |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vdss) | 100 В |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th), макс.) @ Id | 2.6 В @ 250 мкА |
| Постоянный ток стока _x000D_ (Id) @ 25°C | 13 А (Ta), 32 А (Tc) |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (макс.) | 5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc) |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток (Rds On, макс.) @ Id, Vgs | 13.5 мОм @ 20 А, _x000D_ 10 В |
| Температурный _x000D_ диапазон эксплуатации | -55°C ~ 150°C (Tj) |
| Технология | MOSFET (Metal _x000D_ Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) |
| Тип FET | N-канальный |
| Тип корпуса | 8-DFN-EP (3x3) |
| Тип монтажа | Поверхностный _x000D_ монтаж |
| Управляющее _x000D_ напряжение (Vgs) для максимального и минимального Rds On | 4.5 В, 10 В |
- Цена: 132,50 ₴
