STGD6NC60HDT4 IGBT транзистор - [TO-252-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 7 А: Uкэ.нас: 1.9 В
![STGD6NC60HDT4 IGBT транзистор - [TO-252-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 7 А: Uкэ.нас: 1.9 В, фото 1](https://images.prom.ua/7440571094_stgd6nc60hdt4-igbt-tranzistor.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STGD6NC60HDT4 Транзистор IGBT
IGBT транзистор - [TO-252-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 7 А: Uкэ.нас: 1.9 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00032693 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | DPAK-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 15 A |
| Рассеяние мощности | 50 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 125 ₴

