SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT
Транзистор IGBT 650V 50A/100A
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00072655 |
| Встроенный диод | присутствует |
| Макс. мощность рассеивания на коллекторе при t=25оС | 235 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер | ±20В |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер | 650В |
| Максимальный прямой ток диода | 25А |
| Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=100оС | 50А |
| Максимальный ток коллектора в откр.состоянии при t=25оС | 100А |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Ток коллектора в импульсе | 150 А |
- Цена: 123,75 ₴

